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IGBT单管
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Product Grade
Diode Type
VCES
(V)
Ic@Tc=100℃
(A)
Ic@Tc=25℃
(A)
Vcesat
(V)
Switching Frequency
(KHZ)
Eon
(mJ)
Eoff
(mJ)
Short Current Withstand Time
(us)
Type
Package
ALL
CGB30N65F2KAQ
CGB80N65F2SAN
CGPA30N65F2KAQ
CGPT40N65F2KAD
CGR100N120F2KAD
CGR140N120F3KAD
CGR75N120F2KAD
CGU06N65F2SAA
CGWT30N65F2KAD
CGWT40N120F2KAD
CGWT40N120F2KAE
CGWT40N120F2LAD
CGWT40N120F2LAN
CGWT40N120F2LANM
CGWT40N65F2KA
CGWT40N65F2KAD
CGWT40N65F2KAN
CGWT40N65F2KAQ
CGWT80N65F2KAD
CGWT80N65F2KAS
CGWT80N65F2SAD
ALL
Active
Ready
ALL
automotive
industrial
ALL
SiC
silicon
ALL
650
1200
ALL
6
30
40
75
80
100
140
ALL
12
60
80
100
120
160
170
ALL
1.5
1.55
1.6
1.62
1.65
1.7
1.75
1.8
ALL
0~8
20~45
8~20
ALL
0.052
0.34
0.51
0.78
0.82
1
1.19
1.2
1.23
1.87
1.97
2.5
2.69
2.8
3
5.5
6
8.14
ALL
0.062
0.32
0.34
0.35
0.36
0.4
0.87
0.99
1.19
1.23
1.4
1.7
1.9
1.97
2.6
4.75
13.6
ALL
3
5
7
10
ALL
FST2.0
FST3.0
ALL
TO-220FA
TO-247
TO-247plus
TO-252
TO-263
TO-263FC
TO-3P
CGWT40N120F2KAE
Active
industrial
silicon
1200
40
80
1.7
20~45
3
1.4
5
FST2.0
TO-247
CGB30N65F2KAQ
Active
industrial
silicon
650
30
60
1.62
8~20
0.51
0.4
5
FST2.0
TO-263
CGB80N65F2SAN
Active
industrial
-
650
80
100
1.55
8~20
1.19
1.97
-
FST2.0
TO-263FC
CGPA30N65F2KAQ
Ready
industrial
silicon
650
30
60
1.65
20~45
0.78
0.35
7
FST2.0
TO-220FA
CGPT40N65F2KAD
Active
industrial
silicon
650
40
80
1.7
20~45
1.23
0.34
5
FST2.0
TO-3P
CGR100N120F2KAD
Active
industrial
silicon
1200
100
160
1.55
20~45
8.14
4.75
5
FST2.0
TO-247plus
CGR140N120F3KAD
Active
industrial
silicon
1200
140
170
1.6
20~45
5.5
13.6
-
FST3.0
TO-247plus
CGR75N120F2KAD
Active
industrial
silicon
1200
75
120
1.65
20~45
6
2.6
10
FST2.0
TO-247plus
CGU06N65F2SAA
Active
industrial
silicon
650
6
12
1.8
8~20
0.052
0.062
5
FST2.0
TO-252
CGWT30N65F2KAD
Active
industrial
silicon
650
30
60
1.7
20~45
0.82
0.36
7
FST2.0
TO-247
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